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2N6660
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 1.1 A, 2.7 ohm, TO-205AF, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteSOLID STATE
No. Parte Fabricante2N6660
No. Parte Newark14R8415
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id1.1A
Resistencia de Activación Rds(on)2.7ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.7ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd6.25W
Diseño de TransistorTO-205AF
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia6.25W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El 2N6660 es un MOSFET de modo de mejora de canal N de 60 V diseñado para su uso en reguladores de conmutación, convertidores y controladores de motor.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
2.7ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
6.25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
Núm. de Contactos
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.7ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
TO-205AF
Disipación de Potencia
6.25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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