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2N6111
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, PNP, 30 V, 7 A, 40 W, TO-220AB
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 10 semana(s)
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte Fabricante2N6111
No. Parte Newark89K1170
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo30V
Voltaje Máx. Colector a Emisor30V
Corriente del Colector Continua7A
Disipación de Potencia40W
Disipación de Potencia Pd40W
Corriente de Colector DC7A
Ganancia de Corriente DC hFE30hFE
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Diseño de TransistorTO-220AB
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición4MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.30hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
30V
Disipación de Potencia
40W
Corriente de Colector DC
7A
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
30hFE
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
30V
Corriente del Colector Continua
7A
Disipación de Potencia Pd
40W
Ganancia de Corriente DC hFE
30hFE
Diseño de Transistor
TO-220AB
Frecuencia de Transición
4MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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