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A2F12M12W2-F1
MOSFET de carburo de silicio, Paquete Cuádruple, Cuatro Canales N, 75 A, 1.2 kV, 0.013 ohm
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteA2F12M12W2-F1
No. Parte Newark33AK8544
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $208.430 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$208.43
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteA2F12M12W2-F1
No. Parte Newark33AK8544
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETFourPack
Tipo de CanalFour N Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id75A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.013ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorACEPACK 2
No. de Pines34Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
FourPack
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
34Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
Four N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
75A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.013ohm
Diseño de Transistor
ACEPACK 2
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto