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BD679A
Transistor Darlington, NPN, 80 V, 40 W, 4 A, SOT-32, 3 Pines
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteBD679A
No. Parte Newark33X4084
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80
Voltaje Máx. Colector a Emisor80V
Disipación de Potencia Pd40
Frecuencia de Transición-
Corriente del Colector Continua4A
Corriente de Colector DC4
Disipación de Potencia40W
Encapsulado de Transistor RFSOT-32
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorSOT-32
Ganancia de Corriente DC hFE750
Montaje de TransistorThrough Hole
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.750hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The BD679A is a NPN complementary power Darlington Transistor manufactured in Planar Base Island technology. It offers monolithic Darlington configuration with integrated anti-parallel collector-emitter diode.
- Good hFE linearity
- High fT frequency
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80V
Frecuencia de Transición
-
Corriente de Colector DC
4
Encapsulado de Transistor RF
SOT-32
Diseño de Transistor
SOT-32
Montaje de Transistor
Through Hole
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80
Disipación de Potencia Pd
40
Corriente del Colector Continua
4A
Disipación de Potencia
40W
No. de Pines
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
750
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
750hFE
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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