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                      IRF630

                      N CHANNEL MOSFET, 200V, 9A, TO-220

                      STMICROELECTRONICS IRF630
                      La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
                      FabricanteSTMICROELECTRONICS
                      No. Parte FabricanteIRF630
                      No. Parte Newark89K1268
                      Hoja de datos técnicos

                      Data Sheet

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                      Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.

                      Información del producto

                      FabricanteSTMICROELECTRONICS
                      No. Parte FabricanteIRF630
                      No. Parte Newark89K1268
                      Hoja de datos técnicos

                      Data Sheet

                      Tipo de CanalCanal N
                      Transistor, PolaridadCanal N
                      Intensidad Drenador Continua Id9A
                      Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
                      Resistencia de Activación Rds(on)0.4ohm
                      Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.4ohm
                      Voltaje de Prueba Rds(on)10V
                      Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
                      Montaje de TransistorAgujero Pasante
                      Disipación de Potencia Pd75W
                      Diseño de TransistorTO-220
                      Núm. de Contactos3Pines
                      Disipación de Potencia75W
                      Temperatura de Trabajo Máx.150°C
                      Calificación-
                      Rango de Producto-
                      Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
                      Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)

                      Alternativas para el número de pieza IRF630

                      1 producto (s) encontrado (s)

                      Resumen del producto

                      El IRF630 es un MOSFET de potencia de canal N de 200V diseñado utilizando el proceso MESH OVERLAY™ basado en la disposición de tira consolidada de la compañía. Esta tecnología combina y mejora los rendimientos en comparación con las piezas estándar de diversas fuentes.

                      • Capacidad dv/dt extremadamente alta
                      • Capacidades intrínsecas muy bajas
                      • Carga de puerta minimizada
                      • Voltaje de drenaje a fuente de 200V
                      • Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
                      • Resistencia térmica de 62.5°C/W, unión a ambiente

                      Aplicaciones

                      Administración de Potencia

                      Advertencias

                      Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

                      Especificaciones técnicas

                      Tipo de Canal

                      Canal N

                      Intensidad Drenador Continua Id

                      9A

                      Resistencia de Activación Rds(on)

                      0.4ohm

                      Voltaje de Prueba Rds(on)

                      10V

                      Montaje de Transistor

                      Agujero Pasante

                      Diseño de Transistor

                      TO-220

                      Disipación de Potencia

                      75W

                      Calificación

                      -

                      Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

                      -

                      Transistor, Polaridad

                      Canal N

                      Voltaje de Drenaje-Fuente Vds

                      200V

                      Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente

                      0.4ohm

                      Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente

                      3V

                      Disipación de Potencia Pd

                      75W

                      Núm. de Contactos

                      3Pines

                      Temperatura de Trabajo Máx.

                      150°C

                      Rango de Producto

                      -

                      Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

                      No SVHC (15-Jan-2018)

                      Documentos técnicos (2)

                      Technical Data Sheet EN

                      Product Change Notice EN

                      Legislación y medioambiente

                      US ECCN:EAR99
                      EU ECCN:Unknown
                      Conforme a RoHS:Y-Ex

                      RoHS

                      Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí

                      RoHS

                      Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
                      Descargue el certificado de cumplimiento del producto

                      Certificado de conformidad del producto

                      Servicio al cliente
                      Necesito Ayuda
                      Ventas 01.800.463.9275
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