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M1F80M12W2-1LA
MOSFET de carburo de silicio, Paquete Cuádruple, Canal N, 30 A, 1.2 kV, 0.108 ohm, ACEPACK DMT
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteM1F80M12W2-1LA
No. Parte Newark24AM0546
Configuración de Módulo MOSFETFourPack
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id30A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.108ohm
Diseño de TransistorACEPACK DMT
No. de Pines32Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
FourPack
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.108ohm
No. de Pines
32Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
ACEPACK DMT
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
-
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Pendiente
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto