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MJD112T4
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 1000 RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteMJD112T4
No. Parte Newark06X0511
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteMJD112T4
No. Parte Newark06X0511
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100V
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Disipación de Potencia Pd20W
Corriente del Colector Continua0
Disipación de Potencia0
Corriente de Colector DC2A
Encapsulado de Transistor RFTO-252 (DPAK)
Diseño de Transistor0
No. de Pines3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE200hFE
Frecuencia de Transición0
Montaje de TransistorSurface Mount
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Corriente del Colector Continua
0
Corriente de Colector DC
2A
Diseño de Transistor
0
Ganancia de Corriente DC hFE
200hFE
Montaje de Transistor
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100V
Disipación de Potencia Pd
20W
Disipación de Potencia
0
Encapsulado de Transistor RF
TO-252 (DPAK)
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza MJD112T4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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