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PD55003S-E
RF FET, 40V, 2.5A, POWERSO-10RF ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricantePD55003S-E
No. Parte Newark47AK6849
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $10.160 |
| 10+ | $7.960 |
| 25+ | $7.510 |
| 50+ | $7.070 |
| 100+ | $6.800 |
| 250+ | $6.660 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricantePD55003S-E
No. Parte Newark47AK6849
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id2.5A
Disipación de Potencia31.7W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.520MHz
Disipación de Potencia Pd0
Frecuencia de Funcionamiento Máx.480MHz
Diseño de TransistorPowerSO-10RF
No. de Pines2Pines
Encapsulado de Transistor RF0
Temperatura de Trabajo Máx.165°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorFlange
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Disipación de Potencia
31.7W
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
PowerSO-10RF
Encapsulado de Transistor RF
0
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Intensidad Drenador Continua Id
2.5A
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
520MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
480MHz
No. de Pines
2Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
165°C
Montaje de Transistor
Flange
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto