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SCTH70N120G2V-7
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 90 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, H2PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTH70N120G2V-7
No. Parte Newark40AJ8412
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTH70N120G2V-7
No. Parte Newark40AJ8412
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id90A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.021ohm
Diseño de TransistorH2PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.45V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia469W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.021ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.45V
Disipación de Potencia
469W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
90A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
H2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto