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SCTL35N65G2V
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 40 A, 650 V, 0.045 ohm, PowerFLAT-HV
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTL35N65G2V
No. Parte Newark50AJ6009
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $22.700 |
| 10+ | $17.660 |
| 25+ | $17.330 |
| 50+ | $16.990 |
| 100+ | $16.660 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTL35N65G2V
No. Parte Newark50AJ6009
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id40
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045
Diseño de TransistorPowerFLAT HV
No. de Pines5Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.2
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia417
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045
No. de Pines
5Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.2
Disipación de Potencia
417
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerFLAT HV
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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