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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTW100N65G2AG
No. Parte Newark69AH2143
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 24 semana(s)
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $42.970 |
5+ | $41.920 |
10+ | $40.910 |
25+ | $40.010 |
50+ | $39.190 |
100+ | $38.710 |
250+ | $38.280 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$42.97
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTW100N65G2AG
No. Parte Newark69AH2143
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02ohm
Diseño de TransistorTO-247
Núm. de Contactos3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.1V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia420W
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02ohm
Núm. de Contactos
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.1V
Disipación de Potencia
420W
Rango de Producto
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto