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SCTW100N65G2AG
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 100 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTW100N65G2AG
No. Parte Newark69AH2143
Hoja de datos técnicos
331 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $46.300 |
| 5+ | $45.170 |
| 10+ | $44.090 |
| 25+ | $43.110 |
| 50+ | $42.230 |
| 100+ | $41.710 |
| 250+ | $41.250 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$46.30
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTW100N65G2AG
No. Parte Newark69AH2143
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id100
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.1
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia420
Temperatura de Trabajo Máx.200
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
SCTW100N65G2AG is an automotive-grade silicon carbide power MOSFET. This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
- AEC-Q101 qualified
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Extremely low gate charge and input capacitance
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
- 650V drain-source voltage
- 100A drain current (continuous) at TC = 25°C
- 420W total power dissipation at TC = 25°C
- HiP247 package
- Operating junction temperature range from -55 to 200°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.1
Disipación de Potencia
420
Rango de Producto
-
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto