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SCTW60N120G2
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTW60N120G2
No. Parte Newark96AJ0074
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $16.310 |
| 10+ | $13.930 |
| 25+ | $13.490 |
| 50+ | $12.800 |
| 100+ | $12.330 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTW60N120G2
No. Parte Newark96AJ0074
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id60A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.035ohm
Diseño de TransistorHiP247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia389W
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.035ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia
389W
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
HiP247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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