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SCTWA35N65G2V-4
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTWA35N65G2V-4
No. Parte Newark74AJ1812
Hoja de datos técnicos
133 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $11.790 |
| 10+ | $10.220 |
| 25+ | $10.210 |
| 50+ | $9.920 |
| 100+ | $9.560 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTWA35N65G2V-4
No. Parte Newark74AJ1812
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id45A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045ohm
Diseño de TransistorHiP247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.2V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia240W
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.2V
Disipación de Potencia
240W
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
45A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
HiP247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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