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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $26.610 |
| 5+ | $23.880 |
| 10+ | $23.050 |
| 25+ | $22.540 |
| 50+ | $22.060 |
| 100+ | $21.800 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTWA40N12G24AG
No. Parte Newark04AM0268
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id33A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.105ohm
Diseño de TransistorHiP247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia290W
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
33A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.105ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
HiP247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
290W
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto