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SCTWA70N120G2V-4
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTWA70N120G2V-4
No. Parte Newark74AJ1813
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $51.450 |
| 5+ | $49.610 |
| 10+ | $47.780 |
| 25+ | $47.690 |
| 50+ | $45.830 |
| 100+ | $43.960 |
| 250+ | $42.080 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTWA70N120G2V-4
No. Parte Newark74AJ1813
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id91A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.021ohm
Diseño de TransistorHiP247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.45V
Disipación de Potencia547W
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.021ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.45V
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
91A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
HiP247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
547W
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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