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SCTWA90N65G2V
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247LL
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTWA90N65G2V
No. Parte Newark36AJ4505
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $40.900 |
| 5+ | $35.630 |
| 10+ | $32.670 |
| 25+ | $31.930 |
| 60+ | $31.260 |
| 120+ | $30.880 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTWA90N65G2V
No. Parte Newark36AJ4505
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id119
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorHiP247LL
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.2
Disipación de Potencia565
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.200
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.2
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
119
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018
Diseño de Transistor
HiP247LL
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
565
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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