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ST13007D
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteST13007D
No. Parte Newark45AC7805
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 100+ | $1.420 |
| 500+ | $1.320 |
| 1000+ | $1.270 |
| 2500+ | $1.220 |
| 5000+ | $1.210 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteST13007D
No. Parte Newark45AC7805
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor400V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo400V
Corriente del Colector Continua8A
Disipación de Potencia80W
Disipación de Potencia Pd80W
Corriente de Colector DC8A
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Ganancia de Corriente DC hFE8hFE
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición-
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.8hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
400V
Disipación de Potencia
80W
Corriente de Colector DC
8A
Montaje de Transistor
Through Hole
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
8hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
400V
Corriente del Colector Continua
8A
Disipación de Potencia Pd
80W
Diseño de Transistor
TO-220AB
Ganancia de Corriente DC hFE
8hFE
Frecuencia de Transición
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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