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STB140NF75T4
MOSFET, N CH, 75V, 120A, D2PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB140NF75T4
No. Parte Newark33R1104
Rango de ProductoSTripFET III Series
Hoja de datos técnicos
151 En Stock
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB140NF75T4
No. Parte Newark33R1104
Rango de ProductoSTripFET III Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75
Intensidad Drenador Continua Id120
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7500µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0065ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd310W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia310
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoSTripFET III Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
STB140NF75T4 is a N-channel STripFET™ III power MOSFET. This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility. Typically suitable for switching application.
- 75V minimum drain-source breakdown voltage (ID = 250µA, VGS =0, TCASE=25°C)
- 2 to 4V gate threshold voltage range ( VDS = VGS, ID = 250µA)
- 0.0065ohm typical static drain-source on resistance (VGS = 10V, ID = 70A)
- 160S typical forward transconductance (VDS = 15V, ID = 70A)
- <0.0075ohm RDS(on)
- 30ns typical turn-on delay time (VDD = 38V, ID = 70A, RG = 4.7ohm, VGS = 10V)
- 120A maximum source-drain current
- 115ns typical reverse recovery time (ISD = 120A, di/dt = 100A/µs, VDD = 35V, Tj = 150°C)
- 450nC typical reverse recovery charge (ISD = 120A, di/dt = 100A/µs, VDD = 35V, Tj = 150°C)
- D²PAK package, maximum operating junction temperature range from -55 to 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
120
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0065ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
310
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7500µohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
310W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
STripFET III Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STB140NF75T4
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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