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STB24N60M2
MOSFET, N-CH, 600V, 18A, TO-262
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB24N60M2
No. Parte Newark51AC9538
Rango de ProductoMDmesh II Plus
Hoja de datos técnicos
755 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.860 |
| 10+ | $2.530 |
| 100+ | $1.860 |
| 500+ | $1.540 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB24N60M2
No. Parte Newark51AC9538
Rango de ProductoMDmesh II Plus
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id18A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.168ohm
Diseño de TransistorTO-262
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia150W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMDmesh II Plus
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-262
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh II Plus
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
18A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.168ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
150W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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