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STB30NF10T4
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 35A, D2PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB30NF10T4
No. Parte Newark33R1116
Hoja de datos técnicos
989 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.230 |
| 10+ | $1.600 |
| 25+ | $1.480 |
| 50+ | $1.340 |
| 100+ | $1.210 |
| 250+ | $1.100 |
| 500+ | $0.984 |
| 1000+ | $0.885 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.23
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB30NF10T4
No. Parte Newark33R1116
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id15A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.038ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.038ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd115W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia115W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STB30NF10T4 es un MOSFET de potencia de canal N STripFET™ II con carga de compuerta baja. El dispositivo es el último desarrollo del exclusivo proceso basado en tiras Single Feature Size™ de STMicroelectronics. Tiene una densidad de empaquetamiento extremadamente alta para baja resistencia ON, características de avalancha robustas y pasos de alineación menos críticos, por lo tanto, una notable reproducibilidad de fabricación.
- Capacidad excepcional de dV/dt
- 100% prueba de avalancha
- Aplicación orientada a la caracterización
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
15A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.038ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
115W
Disipación de Potencia
115W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.038ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto