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STB42N60M2-EP
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB42N60M2-EP
No. Parte Newark69AH2675
Rango de ProductoMDmesh M2
Hoja de datos técnicos
745 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.890 |
| 10+ | $5.940 |
| 25+ | $5.510 |
| 50+ | $5.090 |
| 100+ | $4.670 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB42N60M2-EP
No. Parte Newark69AH2675
Rango de ProductoMDmesh M2
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id34
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.076
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia250
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh M2
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.076
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh M2
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
34
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
250
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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