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STB46NF30
MOSFET de Potencia, Canal N, 300 V, 42 A, 0.063 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB46NF30
No. Parte Newark45AC7528
Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.720 |
| 10+ | $4.060 |
| 25+ | $3.750 |
| 50+ | $3.430 |
| 100+ | $3.120 |
| 250+ | $3.110 |
| 500+ | $2.830 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$5.72
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTB46NF30
No. Parte Newark45AC7528
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de Canal0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds300
Intensidad Drenador Continua Id42
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.063
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de Transistor0
Montaje de Transistor0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia300
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación0
Rango de Producto0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)0
Resumen del producto
STB46NF30 is a N-channel STripFET™ II power MOSFET. It has been developed using STMicroelectronics’ unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC/DC converter for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements. Suitable for switching applications.
- Exceptional dv/dt capability, 100% avalanche tested, low gate charge
- 300V min drain-source voltage (VGS = 0V, ID = 1mA, TC = 25°C)
- 0.063ohm typ static drain-source on-resistance (VGS = 10V, ID = 17A, TC = 25°C)
- 42A drain current (continuous) at TC = 25°C, 300W total dissipation (TC = 25°C)
- 1oµA max zero gate voltage drain current (VGS = 0V, VDS = 300V, TC = 125°C)
- 3200pF typ input capacitance (VDS = 25V, f = 1MHz, VGS = 0V)
- 442pF typ output capacitance (VDS = 25V, f = 1MHz, VGS = 0V)
- 38ns typ rise time (VDD = 150V, ID = 17A, RG = 4.7ohm, VGS = 10V)
- 46ns typ fall time (VDD = 150V, ID = 17A, RG = 4.7ohm, VGS = 10V)
- D²PAK package, operating junction temperature range from -55 to 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
300
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.063
Diseño de Transistor
0
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Calificación
0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Tipo de Canal
0
Intensidad Drenador Continua Id
42
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
0
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:0
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto