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STD13NM60ND
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD13NM60ND
No. Parte Newark07AH6954
Rango de ProductoFDmesh II
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD13NM60ND
No. Parte Newark07AH6954
Rango de ProductoFDmesh II
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id11
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.38ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia109
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoFDmesh II
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
109
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
FDmesh II
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
11
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.38ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD13NM60ND
7 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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