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STD15N60M2-EP
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD15N60M2-EP
No. Parte Newark61AC2088
Rango de ProductoMDmesh
Hoja de datos técnicos
Opciones de embalaje
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.750 |
| 10+ | $1.850 |
| 25+ | $1.680 |
| 50+ | $1.520 |
| 100+ | $1.350 |
| 250+ | $1.260 |
| 500+ | $1.160 |
| 1000+ | $1.060 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.75
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD15N60M2-EP
No. Parte Newark61AC2088
Rango de ProductoMDmesh
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id11
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.34
Resistencia de Activación Rds(on)0.34ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd110W
Disipación de Potencia110
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia MDmesh™ M2 EP de 600 V y 11 A en un paquete DPAK de 3 pines
- Carga de puerta extremadamente baja
- Excelente perfil de capacitancia de salida (COSS)
- Pérdidas de conmutación de apagado muy bajas
- Probado avalancha 100%
- Protejido por zener
- Apto para aplicaciones de conmutación
- Diseñado para convertidores de muy alta frecuencia (f<gt/> 150 KHz)
- Presenta características de conmutación optimizadas y de baja resistencia
- Adecuado para los convertidores de muy alta frecuencia más exigentes
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.34
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
110W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
11
Resistencia de Activación Rds(on)
0.34ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
110
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD15N60M2-EP
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto