Imprimir página
STD25NF10LA
MOSFET, N, D-PAK
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD25NF10LA
No. Parte Newark72K6051
Hoja de datos técnicos
3,941 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.300 |
| 10+ | $1.800 |
| 25+ | $1.640 |
| 50+ | $1.480 |
| 100+ | $1.310 |
| 250+ | $1.210 |
| 500+ | $1.110 |
| 1000+ | $1.060 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$11.50
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD25NF10LA
No. Parte Newark72K6051
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente35
Resistencia de Activación Rds(on)0.03ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd100W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia100
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STD25NF10LA es un MOSFET de potencia de canal N STripFET™ II diseñado específicamente para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de la puerta. El dispositivo es adecuado para su uso como interruptor principal en convertidores de CD a CD aislados de alta eficiencia avanzados para aplicaciones informáticas y de telecomunicaciones y aplicaciones con requisitos de conducción de carga de compuerta baja.
- Capacidad excepcional de dV/dt
- 100% prueba de avalancha
- Dispositivo de nivel lógico
- Temperatura de unión de operación entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
25
Resistencia de Activación Rds(on)
0.03ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
100W
Disipación de Potencia
100
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
35
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza STD25NF10LA
6 productos encontrados
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto