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STD25NF10T4
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 12.5 A, 33 mohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD25NF10T4
No. Parte Newark33R1152
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.030 |
| 10+ | $1.620 |
| 25+ | $1.460 |
| 50+ | $1.310 |
| 100+ | $1.160 |
| 250+ | $1.060 |
| 500+ | $0.961 |
| 1000+ | $0.920 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD25NF10T4
No. Parte Newark33R1152
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id12.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente33
Resistencia de Activación Rds(on)0.033ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd100W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia100
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STD25NF10T4 es un MOSFET de potencia de canal N STripFET™ II diseñado específicamente para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de la puerta. Es adecuado como interruptor principal en convertidores de CD a CD aislados de alta eficiencia avanzados para aplicaciones informáticas y de telecomunicaciones. También está destinado a cualquier aplicación con requisitos de accionamiento de carga de puerta baja.
- Capacidad excepcional de dV/dt
- Aplicación orientada a la caracterización
- 100% prueba de avalancha
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
12.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.033ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
100W
Disipación de Potencia
100
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
33
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD25NF10T4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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