Imprimir página
STD2NK100Z.
MOSFET de Potencia, Canal N, 1 kV, 1.85 A, 6.25 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD2NK100Z.
No. Parte Newark82AC0123
Rango de ProductoSuperMESH Series
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semana(s)
Realizada por Avnet
Avísenme cuando vuelva a estar en stock
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.380 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$3,450.00
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD2NK100Z.
No. Parte Newark82AC0123
Rango de ProductoSuperMESH Series
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1kV
Intensidad Drenador Continua Id1.85A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6.25ohm
Resistencia de Activación Rds(on)6.25ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia70W
Disipación de Potencia Pd70W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de ProductoSuperMESH Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia SuperMESH™ de canal N de 1000V y 1.85A en paquete DPAK de 3 pines
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Probado avalancha 100%
- Carga de puerta minimizada
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Protejido por zener
- Apto para aplicaciones de conmutación
- Optimización del bien establecido PowerMESH™
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6.25ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
70W
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.85A
Resistencia de Activación Rds(on)
6.25ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
Disipación de Potencia Pd
70W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
SuperMESH Series
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto