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STD35NF06LT4
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 17.5 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD35NF06LT4
No. Parte Newark33R1160
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD35NF06LT4
No. Parte Newark33R1160
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id17.5
Resistencia de Activación Rds(on)0.014ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.017ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd80W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia80
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza STD35NF06LT4
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El STD35NF06LT4 es un MOSFET de potencia de canal N de 60V desarrollado con un proceso STripFET único, que está diseñado específicamente para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de la puerta. Esto hace que el MOSFET sea adecuado para su uso como interruptor principal en convertidores CD-CD aislados de alta eficiencia avanzados para aplicaciones informáticas y de telecomunicaciones y aplicaciones con requisitos de conducción de carga de compuerta baja.
- Unidad de umbral bajo
- Carga de puerta minimizada
- Alto pico de potencia
- Alta capacidad de robustez
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
17.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.017ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
80W
Disipación de Potencia
80
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.014ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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