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STD3NK90ZT4
MOSFET de Potencia, Canal N, 900 V, 1.5 A, 4.1 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD3NK90ZT4
No. Parte Newark33R1156
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 10+ | $1.960 |
| 25+ | $1.710 |
| 50+ | $1.510 |
| 100+ | $1.280 |
| 250+ | $1.120 |
| 500+ | $0.900 |
| 1000+ | $0.852 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD3NK90ZT4
No. Parte Newark33R1156
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900V
Intensidad Drenador Continua Id1.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4.1ohm
Resistencia de Activación Rds(on)4.1ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd90W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia90W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STD3NK90ZT4 es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ que ofrece protección Zener y carga de puerta minimizada. La serie SuperMESH™ se obtiene a través de una optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de encendido, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes.
- 100% prueba de avalancha
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
4.1ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
90W
Disipación de Potencia
90W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4.1ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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