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STD4NK50ZT4
MOSFET Transistor, N Channel, 3 A, 500 V, 2.3 ohm, 10 V, 3.75 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD4NK50ZT4
No. Parte Newark33X1196
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $1.430 |
| 25+ | $1.280 |
| 50+ | $1.130 |
| 100+ | $0.956 |
| 250+ | $0.830 |
| 500+ | $0.658 |
| 1000+ | $0.620 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD4NK50ZT4
No. Parte Newark33X1196
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500V
Intensidad Drenador Continua Id3A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.3ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia45W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.3ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
45W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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