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STD5N52U
MOSFET Transistor, N Channel, 4.4 A, 525 V, 1.28 ohm, 10 V, 3.75 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD5N52U
No. Parte Newark07X1946
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.759 |
| 5000+ | $0.736 |
| 10000+ | $0.731 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
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Múltiple: 2500
$1,897.50
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD5N52U
No. Parte Newark07X1946
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds525V
Intensidad Drenador Continua Id4.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia70W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
525V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.5ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.4A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
Disipación de Potencia
70W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD5N52U
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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