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STD5NM50T4
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 7.5 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD5NM50T4
No. Parte Newark89K1550
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 3 semana(s)
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD5NM50T4
No. Parte Newark89K1550
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500V
Intensidad Drenador Continua Id7.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.8ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.8ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd100W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia100W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El STD5NM50T4 es un MOSFET de potencia de canal N MDmesh™ que asocia el proceso de drenaje múltiple con el diseño horizontal PowerMESH™. El dispositivo tiene una excelente resistencia de encendido baja, un dV/dt impresionantemente alto y excelentes características de avalancha. La técnica de la tira produce un rendimiento dinámico general. Es adecuado para aumentar la densidad de potencia de los convertidores de alto voltaje, lo que permite la miniaturización del sistema y mayores eficiencias.
- 0.7Ω RDS (ENCENDIDO)
- Capacidades de alta dv/dt y avalancha
- 100% prueba de avalancha
- Capacitancia de entrada baja y carga de puerta
- Baja resistencia de entrada de compuerta
- Control estricto del proceso y altos rendimientos de fabricación
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.8ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
100W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
7.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.8ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
100W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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