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STD60NF06T4
MOSFET, N, D-PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD60NF06T4
No. Parte Newark26M3529
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.280 |
| 10+ | $1.820 |
| 25+ | $1.660 |
| 50+ | $1.480 |
| 100+ | $1.210 |
| 250+ | $1.040 |
| 500+ | $0.875 |
| 1000+ | $0.814 |
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Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD60NF06T4
No. Parte Newark26M3529
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.016ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.014ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd110W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia110
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.014ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
110
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.016ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
110W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD60NF06T4
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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