Imprimir página
STD60NF55LT4
MOSFET, N CHANNEL, 55V, 60A, DPAK
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD60NF55LT4
No. Parte Newark33R1172
Hoja de datos técnicos
Opciones de embalaje
2,598 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.380 |
| 10+ | $1.680 |
| 25+ | $1.520 |
| 50+ | $1.360 |
| 100+ | $1.200 |
| 250+ | $1.090 |
| 500+ | $0.971 |
| 1000+ | $0.904 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.38
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD60NF55LT4
No. Parte Newark33R1172
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id30A
Resistencia de Activación Rds(on)0.012ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.012ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd110W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia110W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STD60NF55LT4 es un MOSFET de potencia de canal N STripFET™ II desarrollado utilizando el exclusivo proceso basado en tiras Single Feature Size™ de STMicroelectronics. El dispositivo tiene una densidad de empaquetamiento extremadamente alta para baja resistencia al encendido, características de avalancha robusta y pasos de alineación menos críticos, por lo tanto, una reproducibilidad de fabricación notable.
- Unidad de umbral bajo
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.012ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
110W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.012ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
110W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD60NF55LT4
6 productos encontrados
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto