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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD7N80K5
No. Parte Newark51AC9542
Rango de ProductoMDmesh K5
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $1.290 |
10+ | $1.180 |
25+ | $1.180 |
50+ | $1.180 |
100+ | $1.090 |
250+ | $1.090 |
500+ | $1.020 |
1000+ | $0.939 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD7N80K5
No. Parte Newark51AC9542
Rango de ProductoMDmesh K5
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id6
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.95
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia110
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh K5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh K5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.95
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
110
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD7N80K5
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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