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STD7NK40ZT4
MOSFET de Potencia, Canal N, 400 V, 2.7 A, 0.85 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD7NK40ZT4
No. Parte Newark33R1175
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.170 |
| 10+ | $1.650 |
| 100+ | $1.140 |
| 500+ | $0.942 |
| 1000+ | $0.866 |
| 2500+ | $0.708 |
| 10000+ | $0.672 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD7NK40ZT4
No. Parte Newark33R1175
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds400V
Intensidad Drenador Continua Id2.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.85ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.85ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd70W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia70W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STD7NK40ZT4 es un MOSFET de Poder protegido por Zener de canal N SuperMESH ™ obtenido a través de una optimización extrema de la bien establecida disposición de PowerMESH ™ basada en tiras de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de encendido, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes.
- 0.85Ω RDS (ENCENDIDO)
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- 100% prueba de avalancha
- Carga de puerta minimizada
- Capacidades intrínsecas muy bajas
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.7A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.85ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
70W
Disipación de Potencia
70W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
400V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.85ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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