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STD96N3LLH6
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD96N3LLH6
No. Parte Newark69AH2698
Rango de ProductoSTripFET VI DeepGATE
Hoja de datos técnicos
15,835 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.870 |
| 10+ | $1.250 |
| 25+ | $1.130 |
| 50+ | $1.010 |
| 100+ | $0.893 |
| 250+ | $0.817 |
| 500+ | $0.740 |
| 1000+ | $0.691 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD96N3LLH6
No. Parte Newark69AH2698
Rango de ProductoSTripFET VI DeepGATE
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4200µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia70
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoSTripFET VI DeepGATE
Calificación-
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
STD96N3LLH6 is a N-channel power MOSFET that utilizes the 6th generation of design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. Applications include switching applications, automotive.
- Extremely low on-resistance RDS(on), high avalanche ruggedness
- Low gate drive power losses
- 30V minimum drain-source breakdown voltage (ID = 250µA, VGS= 0, TCASE = 25°C)
- 0.0042ohm maximum static drain-source on resistance (VGS = 10V, ID = 40A, TCASE = 25°C)
- 80A drain current (continuous) at TC = 25°C
- 1 to 2.5V gate threshold voltage range (VDS = VGS, ID = 250µA, TCASE = 25°C)
- 2200pF typical input capacitance (VDS = 25V, f=1MHz, VGS = 0, TCASE = 25°C)
- 400pF typical output capacitance (VDS = 25V, f=1MHz, VGS = 0, TCASE = 25°C)
- 280pF typical reverse transfer capacitance (VDS = 25V, f=1MHz, VGS = 0, TCASE = 25°C)
- DPAK package
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4200µohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
70
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
STripFET VI DeepGATE
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
80
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto