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STE145N65M5
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Canal N, 143 A, 650 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTE145N65M5
No. Parte Newark45AC7546
Rango de ProductoMDmesh M5
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 16 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $70.740 |
| 5+ | $64.620 |
| 10+ | $58.480 |
| 25+ | $58.470 |
| 50+ | $58.470 |
| 100+ | $58.460 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$70.74
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTE145N65M5
No. Parte Newark45AC7546
Rango de ProductoMDmesh M5
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id143A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.012ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.012ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd679W
Disipación de Potencia679W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMDmesh M5
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
143A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.012ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
679W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.012ohm
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
679W
Rango de Producto
MDmesh M5
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto