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STF27N60M2-EP
MOSFET, N-CH, 600V, 20A, 150DEG C, 30W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF27N60M2-EP
No. Parte Newark69AH2716
Rango de ProductoMDmesh M2
Hoja de datos técnicos
511 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.290 |
| 10+ | $2.160 |
| 25+ | $2.060 |
| 50+ | $2.020 |
| 100+ | $2.010 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF27N60M2-EP
No. Parte Newark69AH2716
Rango de ProductoMDmesh M2
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id20A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.15ohm
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia30W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMDmesh M2
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh M2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.15ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia
30W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto