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STF2N80K5
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 2 A, 3.5 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF2N80K5
No. Parte Newark45AC7562
Rango de ProductoMDmesh K5
Hoja de datos técnicos
6 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 100+ | $0.937 |
| 500+ | $0.936 |
| 1000+ | $0.863 |
| 2500+ | $0.860 |
| 10000+ | $0.859 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF2N80K5
No. Parte Newark45AC7562
Rango de ProductoMDmesh K5
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.5
Resistencia de Activación Rds(on)3.5ohm
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd20W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia20
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh K5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.5
Diseño de Transistor
TO-220FP
Disipación de Potencia Pd
20W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh K5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2
Resistencia de Activación Rds(on)
3.5ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
20
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
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