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STF9NK90Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 900 V, 3.6 A, 1.1 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF9NK90Z
No. Parte Newark33R1215
Hoja de datos técnicos
585 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.260 |
| 10+ | $3.110 |
| 100+ | $2.960 |
| 500+ | $2.830 |
| 1000+ | $2.530 |
| 2500+ | $2.100 |
| 5000+ | $2.000 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTF9NK90Z
No. Parte Newark33R1215
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900V
Intensidad Drenador Continua Id3.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.1ohm
Resistencia de Activación Rds(on)1.1ohm
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd40W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia40W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STF9NK90Z es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ que ofrece protección Zener y carga de puerta minimizada. SuperMESH™ se obtiene a través de una optimización del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de STMicroelectronics. Además de empujar la resistencia de ON significativamente más bajo, también garantiza una muy buena capacidad de dv/dt para las aplicaciones más exigentes. Este MOSFET complementa la gama completa de MOSFET de potencia de alto voltaje de los ST.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- 100% prueba de avalancha
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.6A
Resistencia de Activación Rds(on)
1.1ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
40W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.1ohm
Diseño de Transistor
TO-220FP
Disipación de Potencia Pd
40W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto