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STFU10NK60Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 10 A, 0.68 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTFU10NK60Z
No. Parte Newark69AH2707
Rango de ProductoSuperMESH
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTFU10NK60Z
No. Parte Newark69AH2707
Rango de ProductoSuperMESH
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id10
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.68
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia35
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoSuperMESH
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
35
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
SuperMESH
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
10
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.68
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto