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STGB18N40LZT4
IGBT, 30 A, 1.35 V, 150 W, 390 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGB18N40LZT4
No. Parte Newark99W9734
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.010 |
| 10+ | $2.370 |
| 100+ | $1.830 |
| 500+ | $1.600 |
| 1000+ | $1.550 |
| 3000+ | $1.500 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGB18N40LZT4
No. Parte Newark99W9734
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua30
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.35
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia150
Voltaje Máx. Colector a Emisor390
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The STGB18N40LZT4 is an internally clamped IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diode between gate-collector and gate-emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low ON-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition system. It is suitable for pencil coil electronic ignition drive.
- ESD gate-emitter protection
- Gate-collector high voltage clamping
- Logic level gate drive
- Low saturation voltage
- High pulsed current capability
- Gate and gate-emitter resistor
- 180mJ Avalanche energy @ TC = 150°C, L = 3mH
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.35
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
390
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Corriente del Colector Continua
30
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
150
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Núm. de Contactos
3Pines
Montaje de Transistor
Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto