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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $33.420 |
10+ | $27.370 |
25+ | $26.450 |
50+ | $25.680 |
100+ | $24.950 |
400+ | $24.450 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGSH80HB65DAG
No. Parte Newark83AK8312
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente del Colector Continua83A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.7V
Disipación de Potencia250W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Diseño de TransistorACEPACK SMIT
Terminación del IGBTSolder
Voltaje Máx. Colector a Emisor650V
Tecnología IGBT-
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.7V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Terminación del IGBT
Solder
Tecnología IGBT
-
Rango de Producto
-
Corriente del Colector Continua
83A
Disipación de Potencia
250W
Diseño de Transistor
ACEPACK SMIT
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650V
Montaje de Transistor
Surface Mount
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto