Imprimir página
STH3N150-2
MOSFET de Potencia, Canal N, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, H2PAK-2, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTH3N150-2
No. Parte Newark98Y2479
Rango de ProductoPowerMESH
Hoja de datos técnicos
2,022 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.860 |
| 10+ | $3.850 |
| 25+ | $3.850 |
| 50+ | $3.530 |
| 100+ | $3.530 |
| 250+ | $3.530 |
| 500+ | $3.530 |
| 1000+ | $3.270 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.86
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTH3N150-2
No. Parte Newark98Y2479
Rango de ProductoPowerMESH
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.5
Intensidad Drenador Continua Id2.5
Resistencia de Activación Rds(on)6ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9ohm
Diseño de TransistorH2PAK-2
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia140
Disipación de Potencia Pd140W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoPowerMESH
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia PowerMESH™ de canal N de 1500V y 2.5A en paquete H2PAK-2 de 3 pines
- Probado avalancha 100%
- Capacidades intrínsecas y Qg minimizados
- Conmutación de alta velocidad
- Diseñado utilizando el proceso MESHOVERLAY™ consolidado basado en el diseño de tiras
- Apto para aplicaciones de conmutación
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.5
Resistencia de Activación Rds(on)
6ohm
Diseño de Transistor
H2PAK-2
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
140
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
PowerMESH
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
140W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto