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STL42P6LLF6
MOSFET, P-CH, -60V, -42A, POWERFLAT
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTL42P6LLF6
No. Parte Newark45AC7618
Rango de ProductoSTripFET F6
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.820 |
| 10+ | $2.020 |
| 25+ | $1.840 |
| 50+ | $1.660 |
| 100+ | $1.480 |
| 250+ | $1.360 |
| 500+ | $1.240 |
| 1000+ | $1.230 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTL42P6LLF6
No. Parte Newark45AC7618
Rango de ProductoSTripFET F6
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id42
Resistencia de Activación Rds(on)0.023ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente23
Diseño de TransistorPowerFLAT
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd100W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia100
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoSTripFET F6
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STL42P6LLF6 es un MOSFET de potencia de canal P desarrollado utilizando la tecnología STripFET F6 con una nueva estructura de compuerta de zanja. Apto para aplicaciones de conmutación.
- Muy baja resistencia-encendido
- Carga de puerta muy baja
- Gran rugosidad ante avalanchas
- Pérdida de potencia de accionamiento de puerta baja
- El voltaje de ruptura de la fuente de drenaje es -60 V a VGS = 0 V, ID = -250µA
- La corriente de drenaje (continua) a TC = 25 °C es -42 A
- Fuente de drenaje estático máximo 34mohm sobre resistencia
- Paquete PowerFLAT 5x6
- Rango de temperatura de la unión operativa de -55 a 175 °C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.023ohm
Diseño de Transistor
PowerFLAT
Disipación de Potencia Pd
100W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
STripFET F6
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
42
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
23
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
100
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto