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STL45N65M5
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 22.5 A, 0.075 ohm, PowerFLAT, Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTL45N65M5
No. Parte Newark69AH2758
Rango de ProductoMDmesh M5
Hoja de datos técnicos
145 En Stock
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTL45N65M5
No. Parte Newark69AH2758
Rango de ProductoMDmesh M5
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id22.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.075
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerFLAT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia160
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh M5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.075
Diseño de Transistor
PowerFLAT
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
MDmesh M5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
22.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
160
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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