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STL62P3LLH6
MOSFET, P-CH, -30V, -62A, POWERFLAT
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTL62P3LLH6
No. Parte Newark45AC7620
Rango de ProductoSTripFET H6
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTL62P3LLH6
No. Parte Newark45AC7620
Rango de ProductoSTripFET H6
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id62
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9000µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.009ohm
Diseño de TransistorPowerFLAT
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd100W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia100
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoSTripFET H6
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9000µohm
Diseño de Transistor
PowerFLAT
Disipación de Potencia Pd
100W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
STripFET H6
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
62
Resistencia de Activación Rds(on)
0.009ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
100
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificado de conformidad del producto