Imprimir página
STL90N6F7
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 90 A, 0.0046 ohms, PowerFLAT, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTL90N6F7
No. Parte Newark51AC9550
Rango de ProductoSTripFET F7
Hoja de datos técnicos
3,519 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.918 |
| 10+ | $0.918 |
| 25+ | $0.918 |
| 50+ | $0.842 |
| 100+ | $0.841 |
| 250+ | $0.781 |
| 500+ | $0.775 |
| 1000+ | $0.775 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.92
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTL90N6F7
No. Parte Newark51AC9550
Rango de ProductoSTripFET F7
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id90
Resistencia de Activación Rds(on)0.0046ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0046
Diseño de TransistorPowerFLAT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia94
Disipación de Potencia Pd94W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoSTripFET F7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia STripFET F7 de canal N de 60 V y 90 A en un paquete PowerFLAT 5x6 de 8 pines
- Entre los RDS (activado) más bajos del mercado
- Excelente FoM (figura de mérito)
- Relación Crss/Ciss baja para inmunidad a EMI
- Gran rugosidad ante avalanchas
- Reducción de la capacidad interna y la carga de la puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0046ohm
Diseño de Transistor
PowerFLAT
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
94
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
STripFET F7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
90
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0046
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
94W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto