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STP11NK50ZFP
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 10 A, 0.52 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP11NK50ZFP
No. Parte Newark26M3669
Hoja de datos técnicos
306 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.170 |
| 10+ | $2.280 |
| 100+ | $2.070 |
| 500+ | $1.810 |
| 1000+ | $1.560 |
| 2500+ | $1.270 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.17
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP11NK50ZFP
No. Parte Newark26M3669
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500V
Intensidad Drenador Continua Id10A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.52ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.52ohm
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd30W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia30W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STP11NK50ZFP es un MOSFET de Poder protegido por Zener de canal N SuperMESH ™ obtenido a través de una optimización extrema de la bien establecida disposición de PowerMESH ™ basada en tiras de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de encendido, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- 100% prueba de avalancha
- Carga de puerta minimizada
- Capacidades intrínsecas muy bajas
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
10A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.52ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
30W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.52ohm
Diseño de Transistor
TO-220FP
Disipación de Potencia Pd
30W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza STP11NK50ZFP
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto